Nomor Produk Pabrikan:
TSM80N1R2CL C0G
Product Overview
Produsen:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TSM80N1R2CL C0G-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262S (I2PAK)
Inventaris:
12895522
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TSM80N1R2CL C0G Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Taiwan Semiconductor
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
685 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
110W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-262S (I2PAK)
Paket / Kasus
TO-262-3 Short Leads, I2PAK
Nomor Produk Dasar
TSM80
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
TSM80N1R2CL C0G-DG
TSM80N1R2CLC0G
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMTH4008LFDFWQ-7
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
DMTH10H025LPS-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
DMTH6010SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
